半導體行業廢氣有哪些典型成（chéng）分？
半導體行業廢氣有哪些典型成分？摘要
半導體生產廢氣具有（yǒu） “多品類、高毒性、強（qiáng）腐蝕性（xìng）” 的特點，主要成分包括：腐蝕性氣體：刻蝕工藝中常用的氯氣（qì）（Cl₂）、氟化氫（HF）、氟化氮（NF₃），以（yǐ）及清洗工序產生的（de）氨氣（NH₃）等，這類氣（qì）體對金屬設備和蓄熱體的腐蝕性極（jí）強。含矽 / 金屬化（huà）合物：化學氣相沉積（CVD）工藝排放的矽（guī）烷（SiH₄）、四氯化（huà）矽（guī）（SiCl₄），以及濺（jiàn）射工序產生的鈦、鋁等金屬揮發性化合物。VOCs 與特種氣體：光刻膠（jiāo）揮發產
半導體生（shēng）產廢氣具有 “多品類、高毒性、強腐蝕性” 的特點，主要成分包括：
- 腐蝕性氣體：刻蝕（shí）工藝中常用的氯（lǜ）氣（Cl₂）、氟化氫（HF）、氟化氮（NF₃），以及清洗工序產生的氨氣（NH₃）等，這類氣體對金屬設備和蓄熱體的腐蝕性極強。
含矽 / 金屬（shǔ）化合物：化學氣相沉積（CVD）工藝排放的矽烷（SiH₄）、四氯化（huà）矽（SiCl₄），以及濺射工序產生的鈦、鋁等金屬揮發性化（huà）合物。
VOCs 與特種氣體：光刻膠揮發產生的苯（běn）係物、醇類 VOCs，還有摻雜工藝中使用的砷化氫（AsH₃）、磷化氫（PH₃）等劇毒氣體。
顆粒物：晶圓切割、研（yán）磨（mó）過程中產（chǎn）生的矽粉顆粒，以及工藝腔室清潔時帶出的固態（tài）雜質，粒徑多在（zài） 0.1-5μm。
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